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flowBOOST 1 dual SiC

10-FY12B2A032ME-L387L28

拓扑结构 封装 电压 导通电阻 主芯片技术 产品状态
Booster flow 1 1200 V 32 mOhm SiC MOSFET Series
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产品描述

基本信息

  • 产品线: flowBOOST 1 dual SiC
  • 产品状态: Series
  • 标准包装数量: 100

电气特性

  • 电压: 1200 V
  • 电流: 35 A
  • R(DS)on: 32 mOhm

    Booster

  • Kelvin Emitter for improved switching performance
  • Dual Booster
  • Bypass Diode
  • Integrated DC capacitor
  • Temperature sensor

芯片与隔离特性

    SiC MOSFET

  • High Blocking Voltage with low drain source on state resistance
  • High speed SiC-MOSFET technology
  • Resistant to Latch-up

    隔离

  • 基础隔离: Al2O3

机械与封装特性

    flow 1

  • PCB机械连接方式: 4 towers
  • 封装尺寸: 82 mm x 37.4 mm
  • 高度: 12 mm
  • 引脚类型: Solder pin

导热界面类文件

相变材料操作指南
下载 (PDF)
导热界面材料保护层 – ProCap
下载 (PDF)

操作类文件

操作指南
下载 (PDF)
住房尺寸
下载 (PDF)
3D模块轮廓图
下载 (STP)

其他文件

RoHS statement
下载 (PDF)
REACH statement
下载 (PDF)
UL certificate
下载 (PDF)
Technical Explanation of Datasheet
下载 (PDF)
Product Qualification at Vincotech
下载 (PDF)
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