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flowDUAL E2 SiC

10-EY122PA008ME01-LU38F06T

拓扑结构 封装 电压 导通电阻 主芯片技术 产品状态
Half-Bridge flow E2 1200 V 8 mOhm SiC MOSFET Engineering Sample
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产品描述

基本信息

  • 产品线: flowDUAL E2 SiC
  • 产品状态: Engineering Sample
  • 标准包装数量: 100

电气特性

  • 电压: 1200 V
  • 电流: 200 A
  • R(DS)on: 8 mOhm

    Half-Bridge

  • Temperature sensor
  • Half Bridge

芯片与隔离特性

    SiC MOSFET

  • High Blocking Voltage with low drain source on state resistance
  • High speed SiC-MOSFET technology
  • Resistant to Latch-up

    隔离

  • 基础隔离: AlN

机械与封装特性

    flow E2

  • PCB机械连接方式: 4 towers
  • 封装尺寸: 62.8 mm x 57.7 mm
  • 高度: 12 mm
  • 引脚类型: Press-fit pin

操作类文件

操作指南
下载 (PDF)
住房尺寸
下载 (PDF)
3D模块轮廓图
下载 (STP)
Vincotech压接引脚
应用说明尚未提供,稍后会添加.

其他文件

RoHS statement
下载 (PDF)
REACH statement
下载 (PDF)
UL certificate
下载 (PDF)
Technical Explanation of Datasheet
下载 (PDF)
Product Qualification at Vincotech
下载 (PDF)
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